Wydział Technologii i Inżynierii Chemicznej - Technologia chemiczna (S2)
specjalność: Biotechnologia przemysłowa
Sylabus przedmiotu Materiały dla elektroniki:
Informacje podstawowe
| Kierunek studiów | Technologia chemiczna | ||
|---|---|---|---|
| Forma studiów | studia stacjonarne | Poziom | drugiego stopnia |
| Tytuł zawodowy absolwenta | magister inżynier | ||
| Obszary studiów | nauk technicznych, studiów inżynierskich | ||
| Profil | ogólnoakademicki | ||
| Moduł | — | ||
| Przedmiot | Materiały dla elektroniki | ||
| Specjalność | Technologia nowych materiałów | ||
| Jednostka prowadząca | Instytut Technologii Chemicznej Nieorganicznej i Inżynierii Środowiska | ||
| Nauczyciel odpowiedzialny | Dariusz Moszyński <Dariusz.Moszynski@zut.edu.pl> | ||
| Inni nauczyciele | |||
| ECTS (planowane) | 2,0 | ECTS (formy) | 2,0 |
| Forma zaliczenia | zaliczenie | Język | polski |
| Blok obieralny | — | Grupa obieralna | — |
Wymagania wstępne
| KOD | Wymaganie wstępne |
|---|---|
| W-1 | Fizyka |
| W-2 | Elektrotechnika i elektronika |
Cele przedmiotu
| KOD | Cel modułu/przedmiotu |
|---|---|
| C-1 | Zapoznanie studentów z materiałami wykorzystywanymi w elektronice |
| C-2 | Zapoznanie studentów z technologiami wytwarzania elementów elektonicznych |
| C-3 | Wskazanie trendów w technologii wytwarzania materiałów dla elektroniki |
Treści programowe z podziałem na formy zajęć
| KOD | Treść programowa | Godziny |
|---|---|---|
| wykłady | ||
| T-W-1 | Wytwarzanie czystych materiałów do produkcji elementów półprzewodnikowych | 5 |
| T-W-2 | Technologie wytwarzania krzemu, arsenku gazu, germanu (procesy wzrostu kryształów) | 5 |
| T-W-3 | Proces litograficzny | 5 |
| T-W-4 | Trawienie chemiczne i jonowe | 3 |
| T-W-5 | Domieszkowanie materiałów półprzewodnikowych | 3 |
| T-W-6 | Procesy wytwarzania cienkich warstw | 3 |
| T-W-7 | Integracja procesu technologicznego produkcji elementów półprzewodnikowych | 3 |
| T-W-8 | Produkcja układów scalonych | 3 |
| 30 | ||
Obciążenie pracą studenta - formy aktywności
| KOD | Forma aktywności | Godziny |
|---|---|---|
| wykłady | ||
| A-W-1 | Uczestnictwo w wykładach | 30 |
| A-W-2 | Czytanie literatury | 5 |
| A-W-3 | Przygotowanie do kolokwium | 25 |
| 60 | ||
Metody nauczania / narzędzia dydaktyczne
| KOD | Metoda nauczania / narzędzie dydaktyczne |
|---|---|
| M-1 | Wykład problemowy |
| M-2 | Metoda przypadków |
Sposoby oceny
| KOD | Sposób oceny |
|---|---|
| S-1 | Ocena formująca: sprawdzian pisemny |
| S-2 | Ocena podsumowująca: egzamin |
Zamierzone efekty kształcenia - wiedza
| Zamierzone efekty kształcenia | Odniesienie do efektów kształcenia dla kierunku studiów | Odniesienie do efektów zdefiniowanych dla obszaru kształcenia | Odniesienie do efektów kształcenia prowadzących do uzyskania tytułu zawodowego inżyniera | Cel przedmiotu | Treści programowe | Metody nauczania | Sposób oceny |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TCH_2A_D09-08_W01 ma wiedzę o najważniejszych materiałach wykorzystywanych w urzadzeniach elektroniki oraz sposobach ich wytwarzania | TCH_2A_W11 | T2A_W04 | InzA2_W05 | C-1, C-2 | T-W-1, T-W-2, T-W-3, T-W-4, T-W-5, T-W-6, T-W-7 | M-1, M-2 | S-1 |
| TCH_2A_D09-08_W02 ma wiedzę o trendach i nowościach w zakresie sposobów wytwarzania i stosowania materiałów dla elektroniki | TCH_2A_W12 | T2A_W05, T2A_W06 | InzA2_W01 | C-3 | T-W-8 | M-1 | S-1 |
Kryterium oceny - wiedza
| Efekt kształcenia | Ocena | Kryterium oceny |
|---|---|---|
| TCH_2A_D09-08_W01 ma wiedzę o najważniejszych materiałach wykorzystywanych w urzadzeniach elektroniki oraz sposobach ich wytwarzania | 2,0 | |
| 3,0 | Student zna podstawowe materiały wykorzystywane w urządzeniach elektroniki oraz sposoby ich wytwarzania. Wiedza studneta na temat omawianych zagadnien jest na poziomie 60%. | |
| 3,5 | ||
| 4,0 | ||
| 4,5 | ||
| 5,0 | ||
| TCH_2A_D09-08_W02 ma wiedzę o trendach i nowościach w zakresie sposobów wytwarzania i stosowania materiałów dla elektroniki | 2,0 | |
| 3,0 | Student zna obecne trendy w produkcji oraz wykorzystaniu materiałów dla elektroniki. Wiedza studneta na temat omawianych zagadnien jest na poziomie 60%. | |
| 3,5 | ||
| 4,0 | ||
| 4,5 | ||
| 5,0 |
Literatura podstawowa
- Praca zbiorowa, Technologie mikroelektroniczne, Politechnika Śląska, Gliwice, 2000
Literatura dodatkowa
- A. Misra, J. D. Hogan, R. Chorush, Handbook of chemicals and gases for the semiconductor industry, Wiley, New York, 2002
- G. S May, S. M. Sze, Fundamentals of semiconductor fabrication, Wiley, New York, 2004